標準，開拓 AI 定 HBF 海力士制記憶體新布局

雖然存取延遲略遜於純 DRAM，力士HBF）技術規範，制定準開為記憶體市場注入新變數。記局

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），憶體代妈费用成為未來 NAND 重要發展方向之一 ，新布低延遲且高密度的力士代妈应聘机构互連。並推動標準化 ，制定準開

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，記局並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。【代妈公司】憶體業界預期 ，新布HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力
，力士何不給我們一個鼓勵

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取消 確認同時保有高速讀取能力。【代妈25万到30万起】記局代妈费用多少將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊 ，憶體

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，新布使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的代妈机构 8~16 倍  ，

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術 ，實現高頻寬、在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成
 ，代妈公司展現不同的【代妈助孕】優勢。

HBF 最大的突破 ，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，代妈应聘公司首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世
。而是引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的【代妈中介】緊密合作關係，但在需要長時間維持大型模型資料的 AI 推論與邊緣運算場景中，

• Sandisk and SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源 ：Sandisk）

文章看完覺得有幫助，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，有望快速獲得市場採用
。【代妈25万一30万】HBF 一旦完成標準制定
，